特許

J-GLOBAL ID：200903000049624730

半導体基板の製造方法及び製造装置

発明者： 松井 正樹 ,  亀山 美知夫 ,  猪俣 純朋 ,  深谷 輝和
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-193662
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039808
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】新規な構成にて任意の形状及び寸法の半導体基板を容易に製造することができるようにする。【解決手段】円柱状のインゴット1を所定の厚さにスライスして円板状のウエハ10にする。円板状のウエハ10に対するレーザビームLbの照射による切断でウエハ10から任意の形状及び寸法のウエハ11を切り出す。【選択図】 図1

請求項１：

円柱状のインゴット(1)を所定の厚さにスライスして円板状の半導体基板(10)にするスライス工程と、 前記円板状の半導体基板(10)に対するレーザビーム(Lb)の照射による切断で当該半導体基板(10)から任意の形状及び寸法の半導体基板(11)を切り出す切出工程と、 を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  H01L21/02

FI (6件)：

H01L21/304 601Z ,  H01L21/304 611S ,  H01L21/304 611W ,  H01L21/304 611Z ,  H01L21/02 A ,  H01L21/02 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄板の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-198253   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-013941   出願人：日立電線株式会社
• 大口径ウェーハの評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-140208   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• 半導体基板の製造装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-282873   出願人：日本電気株式会社