特許
J-GLOBAL ID:200903000055991346

発光ダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-148251
公開番号(公開出願番号):特開平10-341034
出願日: 1997年06月05日
公開日(公表日): 1998年12月22日
要約:
【要約】【課題】 高速かつ高出力の発光ダイオードを提供する。【解決手段】 p型GaAs基板2の表面に形成された複数の凹部が、AlGaAs層で埋められ、AlGaAs層を含むGaAs基板上に、AlGaAsからなるダブルヘテロ構造の発光層6が形成され、AlGaAs層が除去された後の空洞部10と発光層6との界面で光を反射させるようにした発光ダイオード20或いは、p型GaAs基板2上にAlGaAsからなるダブルヘテロ構造の発光層6が形成された後p型GaAs基板2が除去された発光層6の裏面側で光を反射させるようにした発光ダイオード30において、活性層4の成長溶液としてのGaAs溶液中にp型ドーパントとしてのMgを0.1〜4mg/Ga1gの高いキャリア濃度で添加すると共に、活性層4の膜厚を0.5〜0.05μmの間に薄く設定することにより、高速かつ高出力が得られる。
請求項(抜粋):
p型GaAs基板の表面に形成された複数の凹部が、犠牲層となる高AlAs混晶比のAlGaAs層で埋められ、該AlGaAs層を含むGaAs基板上に、GaAs又はAlGaAsからなるダブルヘテロ構造の発光層が形成され、上記AlGaAs層が除去された後の空洞部と上記発光層との界面で光を反射させるようにした発光ダイオードにおいて、発光ダイオード用のエピタキシャルウェハを液相エピタキシャル法により成長させるための活性層の成長溶液としてのGaAs溶液中にp型ドーパントとしてのMgを0.1〜4mg/Ga1gの間で添加すると共に、活性層の膜厚を0.5〜0.05μmの間に設定したことを特徴とする発光ダイオード。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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