特許
J-GLOBAL ID：200903000057944981
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027684
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244192
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 高速動作性を保持しつつ、トランジスタの面積効率をあげて、チップサイズの縮小化を図ることができるパワートランジスタを提供する。【構成】 ベース拡散層11の一部にエミッタ拡散層12,12...がストライプ状に形成されたパワートランジスタ。基体10にはエミッタ拡散層12の形成が禁止される空き領域11Aが設けられ、この領域11Aの上に絶縁膜21を介してエミッタ電極用のボンディングパッド24が形成される。ストライプ状のエミッタ拡散層12,12...はその先端部がが空き領域11Aの輪郭部分に至るように折り曲げられているので、空き領域11Aの輪郭を上記ボンディングパッド24の形状に基いて最小面積に規定することができる。ストライプ型パワートランジスタの上記空き領域11Aを狭めることによって、高速動作性が高く、実働面積効率の高いパワートランジスタが達成され、チップサイズの縮小化、更には原価低減が図られる。
請求項（抜粋）：
ベース領域が基体上の拡散層にて構成され、エミッタ領域が該拡散層内に設けられたストライプ状の拡散層にて構成されたトランジスタを具えてなる半導体装置において、当該ベース領域の一部にエミッタ領域の形成が禁止される空き領域が設けられ、該空き領域の上に絶縁膜を介してエミッタ電極用のボンディングパッドが形成されるとともに、前記ストライプ状のエミッタ領域が前記空き領域の輪郭部分に至るように当該拡散層の先端部が折り曲げられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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