特許

J-GLOBAL ID：200903000058087705

プラズマ装置

発明者： 永関 一也 ,  広瀬 圭三 ,  早坂 伸夫 ,  岡野 晴雄 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-327618
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151371
出願日： 1992年11月13日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】プラズマ中より反応種を積極的に引出すと共に、被処理体に悪影響を与えることなく高性能なプラズマ処理を行う。【構成】電子加速手段22によって加速される電子が照射されると共に、反応ガスが供給される処理室3内に、半導体ウエハWを保持するサセプタ24を配置する。サセプタ24に反応種引込み用の高周波電源RFを接続する。これにより、反応ガスへの電子の照射によって励起されるプラズマ中から反応種が引出され、この反応種によって半導体ウエハ表面の処理を行う。

請求項（抜粋）：

プラズマから電子を引出し加速して照射することにより、処理室内に供給される所定の反応ガスを励起してプラズマ化し、このプラズマにより被処理体の処理を行うプラズマ装置において、上記処理室内に配置されて上記被処理体を保持する被処理体保持手段に反応種であるイオンと帯電を中和する電子を引込むための高周波電圧を印加することを特徴とするプラズマ装置。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-076627
  
• 特開平2-257625
  
• 特開平4-326725