特許

J-GLOBAL ID：200903000059289158

電界放出陰極の製造方法

発明者： 坂井 裕一 ,  熊谷 宗人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197685
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041152
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 真空マイクロデバイス等に用いる電界放出陰極の製造方法において、電界放出陰極材料として、金属が使え、特性がよく、かつ形状制御の容易な電界放出陰極が形成できる。【構成】 角錐型あるいは円錐型の凹み31aを基板31上に設け、その上に電界放出陰極材料32をスパッタ等で形成する。その後基板を溶解除去することにより、電界放出陰極を形成する。【効果】 性能、信頼性が高く製造コストの安い電界放出陰極が製造できる。

請求項（抜粋）：

錐型の電界放出電極を持つマイクロ真空デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形成し、この凹みの上に電極材料を形成し、その後基板を除去することによって錐型の電界放出電極を得ることを特徴とする電界放出陰極の製造方法。