特許
J-GLOBAL ID：200903000059329818
可変キャパシタ又はマイクロスイッチタイプの電子マイクロ構成要素及びそのような構成要素の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143989
公開番号（公開出願番号）：特開2002-052500
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：
【要約】【課題】 互いに対面する固定プレートと変形可能膜とを備えた電子マイクロ構成要素を室温で製造する方法を提供することである。【解決手段】 酸化物層(2)上に固定プレートとなる第1の金属層を堆積する段階と;固定プレート(1)の周縁の少なくとも一部であって、その両側上に、固定プレート(1)と変形可能膜(20)との間のスペーサとして作用する金属リボン(10,11)を堆積する段階と;固定プレートの全体にわたって犠牲樹脂層(15)を堆積する段階と;リソグラフィによって、犠牲樹脂層の表面に複数の井戸を形成する段階と;電気分解によって、犠牲樹脂層(15)に形成された井戸内に、変形可能膜(20)を形成する少なくとも一つの金属領域であって前記固定プレートの両側に配置された金属リボンの間に延伸する金属領域を堆積する段階と;犠牲層を除去する段階と、を備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
互いに対面する固定プレート(1)と変形可能膜(20)とを備えた可変キャパシタ又はマイクロスイッチタイプの電子マイクロ構成要素の製造方法であって:固定プレートを形成することが意図された第1の金属層を酸化物層(2)上に堆積する段階と;固定プレート(1)の周縁の少なくとも一部であってかつその両側に、固定プレート(1)と変形可能膜(20)との間のスペーサとして作用することが意図された金属リボン(10,11)を堆積する段階と;前記固定プレートの少なくとも全体にわたって犠牲樹脂層(15)を堆積する段階と;リソグラフィによって、前記犠牲樹脂層の表面に複数の井戸を形成する段階と;犠牲樹脂層(15)に形成された井戸内に、電気分解によって、変形可能膜(20)を形成することを意図された少なくとも一つの金属領域であって前記固定プレート(1)の両側に配置された金属リボン(10,11)の間に延伸する金属領域を堆積する段階と;犠牲樹脂層(15)を除去する段階と、を備えた電子マイクロ構成要素の製造方法。
IPC (4件)：
B81C 1/00
, B81B 3/00
, H01H 11/00
, H01H 13/52
B81C 1/00
, B81B 3/00
, H01H 11/00 C
, H01H 13/52 E
5G006AA01
, 5G006AC01
, 5G006AC07
, 5G006BA01
, 5G006CD05
, 5G006FB14
, 5G023BA04
, 5G023CA29
, 5G023CA30
