特許

J-GLOBAL ID：200903000066049251

太陽電池用半導体基板の製造方法、太陽電池の製造方法及び太陽電池

発明者： 清水 宏
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-099366
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299667
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【目的】 結晶系半導体基板を利用した太陽電池の直列接続に関して、簡便な製造方法、構造を提供する【構成】 ブロック体3を連結した柱体中間体8を形成する工程と、柱体中間体8を、この柱体の長手方向に平行な方向に分離することにより、複数の連結半導体基板10を作成する工程とを備える。上記の工程の後、太陽電池用半導体基板10における連結層7にて分離された個別半導体基板11において、光起電力機能を有するように、成膜又は処理をする工程と、個別半導体基板11の表面、裏面上に電極16、17を作成する工程と、個別半導体基板11の表面の電極16と、隣接する個別半導体基板11の裏面の電極17とを、個別半導体基板11間の連結層7における導電材料層5を介して電気接続させる工程とを備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

柱体状の結晶系半導体材料を、前記柱体の長手方向と直角方向に分離して、複数のブロック体を形成する工程と、前記ブロック体の分離した面と、他の前記ブロック体の分離した面との間に、絶縁接着層/導電材料層/絶縁接着層からなる連結層を形成して、前記ブロック体を連結した柱体中間体を形成する工程と、前記柱体中間体を、この柱体の長手方向に平行な方向に分離することにより、複数の連結半導体基板を作成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池用半導体基板の製造方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 S

Fターム (10件)：

5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051DA02 ,  5F051DA04 ,  5F051EA04 ,  5F051EA16 ,  5F051FA04 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051GA04