薄膜状半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-275412
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104432
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】異なった特性の薄膜トランジスタを同一基板上に製造する方法を提供する。【構成】絶縁基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する工程において、アモルファス半導体被膜を形成した後、(1)レーザー光を選択的に照射して半導体被膜の結晶性を改善せしめた後、基板を低温アニールすることによって、もしくは(2)異なる第1の条件のレーザー光を選択的に照射した後に,第2の条件のレーザー光を基板全面にもしくはその一部に照射することによって、薄膜トランジスタの結晶性を変化させることによって、1枚の基板上に異なった特性の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法および上記方法によって得られた薄膜状半導体装置。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、半導体被膜を形成する工程と、前記半導体被膜上に透明な保護被膜を形成する工程と、前記半導体被膜の一部にパルスレーザー光を照射する工程と、前記レーザー照射後、基板を450〜650°Cの温度でアニールすることによって、前記パルスレーザーが照射されなかった領域をも結晶化させる工程と、前記保護被膜を除去して半導体被膜の表面を露出せしめる工程と、前記半導体被膜上にゲイト絶縁膜として機能する絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜上に金属元素を主成分とする第1の配線を形成する工程と、前記第1の配線を主たるマスクとして自己整合的に高速イオンを照射する工程と、を有することを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/784 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 C , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-045162
特開昭58-186967
特開平4-078826

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