特許

J-GLOBAL ID：200903000066443111

半導体装置の製造方法

発明者： 長嶋 隆 ,  原田 秀樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064124
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267279
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に係り,特に絶縁膜の形成方法に関し,緻密で耐ドライエッチング性の大きい絶縁膜の形成方法を目的とする。【構成】 分子量が500以上のオリゴマー又はポリマーの末端基の50%以上がプロトンで封止されているシリコン化合物の膜を半導体基板上に形成した後,0.5モル%以上のオゾンを含む雰囲気で焼成し,シリコン及び酸素を含む絶縁膜を形成するように構成する。また,分子量が500以上のオリゴマー又はポリマーの末端基の50%以上がプロトンで封止されているシリコン化合物の膜を半導体基板上に形成し,酸素プラズマ雰囲気に曝した後焼成し,シリコン及び酸素を含む絶縁膜を形成するように構成する。

請求項（抜粋）：

分子量が500以上のオリゴマー又はポリマーの末端基の50%以上がプロトンで封止されているシリコン化合物の膜を半導体基板(1) 上に形成した後, 0.5モル%以上のオゾンを含む雰囲気で焼成し,シリコン及び酸素を含む絶縁膜(4) を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。