半導体基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-125002
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330093
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板上に、少なくとも一層以上の化合物半導体層が積層された半導体基板において、寄生容量と寄生抵抗の発生を抑えられる界面導電層のシートキャリア密度の上限値を決定し、その上限値以下のシートキャリア密度を有する半導体基板を提供する。【解決手段】 p型あるいは電子トラップとなる深い準位を有するバッファ層12を用いて界面導電層のシートキャリア密度を段階的に減らしながらデバイスの高周波特性を測定することで、実用上支障のないレベルにまで寄生容量と寄生抵抗の発生が押さえられるシートキャリア密度の上限値を決定し、その上限値以下にシートキャリア密度を設定する。これにより、化合物半導体層上に形成されたデバイスの電極と界面導電層間における電気力線の発生が押さえられ、寄生容量と寄生抵抗が低減し、良好な高周波特性を保つことができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、少なくとも一層以上の化合物半導体層が積層された半導体基板において、シリコン基板と化合物半導体層の界面におけるシートキャリア密度が6×101 2 (cm- 2 )以下に設定されていることを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 29/80 B , H01L 21/20 , H01L 33/00 A

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