特許
J-GLOBAL ID：200903000073467808
磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227530
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056909
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 抵抗変化を大きくすることができ、且つ適切な保磁力を得ることができる磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 スピンバルブ膜である積層体2は、下地層21の上に第1軟磁性層22、第2軟磁性層23、非磁性金属層24、強磁性層25、反強磁性層26および保護層27を順次積層することにより構成されており、強磁性層25の磁化の向きと第1および第2軟磁性層22,23の磁化の向きとの相対角度に応じて電気抵抗が変化するようになっている。第1軟磁性層22中には、磁性を有し且つ第1軟磁性層22よりも電気抵抗が大きい軟磁性層間層28が設けられている。積層体2中を電流が流れる際、電子が軟磁性層間層28の表面で反射されるため、それだけ電子の通路が狭められ、従って抵抗変化率が大きくなる。
請求項（抜粋）：
一対の対向する面を有する非磁性層と、前記非磁性層の一方の面側に形成された軟磁性層と、前記非磁性層の他方の面側に形成された強磁性層と、前記強磁性層の前記非磁性層とは反対の側に形成された反強磁性層とを含んで構成され、前記軟磁性層の中に設けられると共に、磁性を有し且つ前記軟磁性層よりも電気抵抗が大きい軟磁性層間層を備えたことを特徴とする磁気変換素子。
Fターム (2件)：
前のページに戻る
