特許
J-GLOBAL ID：200903000078616852
酸化膜及びその形成方法、並びに半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325771
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181137
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、有機物汚染のない清浄なシリコンウエハ表面に絶縁耐圧等の性能に優れた酸化膜及びその形成方法を提供し、さらには、高集積、高性能の半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 不活性ガス雰囲気中で、基体を回転しながらオゾンを含む超純水を基体に供給することにより基体に付着した有機物を除去する有機物除去工程と、該有機物除去工程で生成する酸化膜をフッ化水素酸と接触させて剥離する酸化膜剥離工程と、その後にオゾンを含む超純水と接触させて酸化膜を形成する酸化膜形成工程とを、少なくとも含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
不活性ガス雰囲気中で、基体を回転しながらオゾンを含む超純水を基体に供給することにより基体に付着した有機物を除去する有機物除去工程と、該有機物除去工程で生成する酸化膜をフッ化水素酸と接触させて剥離する酸化膜剥離工程と、その後にオゾンを含む超純水と接触させて酸化膜を形成する酸化膜形成工程とを、少なくとも含むことを特徴とする酸化膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/304 341
, H01L 21/31
