特許

J-GLOBAL ID：200903000079522371

チップバンプの製造方法

発明者： 朴 鍾漢 ,  朴 春根 ,  河 善鎬
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-161470
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078826
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 簡素化された工程で品質の良好なチップバンプを製造する方法を提供する。【構成】 パッドが形成された基板の全面にバリヤメタル層を形成する段階と、前記バリヤメタル層の全面にフォトレジスト膜を形成してパッド部位を開口する段階と、前記開口部位に鍍金を通じて金属バンプを形成する段階と、前記バンプをマスクとして前記フォトレジスト膜を選択的に除去する段階と、残余フォトレジスト膜をマスクとして所定領域のバリヤメタル層を食刻する段階および前記残余フォトレジスト膜を除去してパッドの上部のバンプを形成する段階より構成される。【効果】 工程が単純化されて費用が節減され、品質が優秀なチップバンプを得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップのパッド上にリードを直接付けることができる金属層のチップバンプを製造する方法において、パッドが形成された基板の全面にバリヤメタル層を形成する段階と、前記バリヤメタル層の全面にフォトレジスト膜を形成しパッド部位を開口する段階と、前記開口部位に鍍金法を用いて金属バンプを形成する段階と、前記バンプをマスクに使用して前記フォトレジスト膜を選択的に取り除く段階と、残余フォトレジスト膜をマスクに使用して所定領域のバリヤメタル層を食刻する段階と、前記残余フォトレジスト膜を除去してパッドの上部にバンプを形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のチップバンプの製造方法。