特許

J-GLOBAL ID：200903000081063244

半導体製造装置

発明者： 古山 充利 ,  大橋 裕之 ,  前田 清司 ,  高橋 幸一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094271
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291162
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】本発明は、僅かなガスの使用量でガス供給管とガスインジェクタ-とのジョイント部からの外気の混入の影響を実質的に抑え、プロセスガスの純度の劣化を極めて低く抑えることを目的とする。【構成】ガス供給管8aとガスインジェクタ-10aとを接合されるジョイントに部9aを覆うガスパ-ジボックス30aを設ける。該パ-ジボックス30aはスカベンチャ-13内に設置され、上記ガスパ-ジボックス30aにはパ-ジガス供給管31aが接続され、ガスパ-ジボックス30a内の排気はガスインジェクタ-10aとガスパ-ジボックス30aとの微小な隙間からなされる。

請求項１：

プロセスガスを供給するためのガス供給管と、熱処理チュ-ブ内に上記プロセスガスを供給するためのインジェクタ-と、上記ガス供給管と上記インジェクタ-が接合される接合部において、該接合部を覆うガスパ-ジ機構を具備することを特徴とする熱処理炉。