特許

J-GLOBAL ID：200903000083510256

炭素系一次元材料およびその合成方法ならびに炭素系一次元材料合成用触媒およびその合成方法ならびに電子素子およびその製造方法

発明者： 丸山 竜一郎 ,  村上 洋介 ,  梶浦 尚志 ,  野田 和宏 ,  黄 厚金
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-120461
公開番号（公開出願番号）：特開2006-298684
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】 650°C以下の低温で直径が2nm未満の高純度の単層カーボンナノチューブを合成することができる炭素系一次元材料の合成方法を提供する。 【解決手段】 基体上に担持された触媒を用い、炭素を含む化合物を原料ガスとしてプラズマ中で反応を行うことにより炭素系一次元材料を合成する場合に、その触媒として、(Fe1-p-q Cop Niq )1-x-y Mox Cry (0<x+y≦0.33、0≦x≦0.33、0≦y≦0.33、0≦p+q≦1、0≦p≦1、0≦q≦1)、例えばFe1-x Mox (0<x+y≦0.33)を用いる。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基体上に担持された触媒を用い、炭素を含む化合物を原料ガスとしてプラズマ中で反応を行うことにより炭素系一次元材料を合成するようにした炭素系一次元材料の合成方法において、 上記触媒として、(Fe1-p-q Cop Niq )1-x-y Mox Cry (ただし、0<x+y≦0.33、0≦x≦0.33、0≦y≦0.33、0≦p+q≦1、0≦p≦1、0≦q≦1)を用いる ことを特徴とする炭素系一次元材料の合成方法。

IPC (3件)：

C01B 31/02 ,  B01J 23/88 ,  B01J 23/75

FI (3件)：

C01B31/02 101F ,  B01J23/88 M ,  B01J23/74 311M

Fターム (32件)：

4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AC01B ,  4G146AC16B ,  4G146AC27B ,  4G146BA12 ,  4G146BA38 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146BC46 ,  4G169AA03 ,  4G169BA07B ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC59B ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC67B ,  4G169BC68A ,  4G169BD05B ,  4G169CB81