バリウムとストロンチウムとを含有する酸化物薄膜を成長させる方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外10名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570387
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525426
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】本発明は、バリウムおよび/またはストロンチウムを含有する酸化物薄膜を成長させる方法に関する。この方法では、かかる薄膜をALE技術によりバリウムおよびストロンチウムの前駆体としてそれらのシクロペンタジエニル化合物を用いることにより作製する。本発明により作製した薄膜は高い誘電率と優れた適合性を具備する。

請求項（抜粋）：

酸化物薄膜をALE技術により前駆体としてストロンチウムおよび/またはバリウムのシクロペンタジエニル化合物を、一つまたはそれ以上の揮発性チタン化合物、および反応性酸素前駆体と共に用いることにより作製することを特徴とする薄膜を成長させる方法。

IPC (7件)：

C23C 16/40 , C01G 23/00 , H01L 21/316 , H01L 21/8242 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 39/24 ZAA

FI (6件)：

C23C 16/40 , C01G 23/00 C , H01L 21/316 X , H01L 39/24 ZAA D , H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 651

Fターム (37件)：

4G047CA07 , 4G047CB04 , 4G047CC02 , 4G047CD02 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA42 , 4K030CA02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA03 , 4K030LA15 , 4M113AD36 , 4M113BA14 , 4M113CA34 , 4M113CA35 , 4M113CA36 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH03 , 5F083AD21 , 5F083AD51 , 5F083FR01 , 5F083GA27 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083PR22 , 5F083PR25

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平2-009795
酸化物超電導体の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-217266 出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 中部電力株式会社

審査官引用 (2件)

特開平2-009795
酸化物超電導体の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-217266 出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 中部電力株式会社

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