特許
J-GLOBAL ID：200903000086652728
アクティブデバイスおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野寺 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-346075
公開番号（公開出願番号）：特開平6-194691
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 強誘電性を損なうことなく、MOD法を用いてアクティブデバイスを得る。【構成】 絶縁基板1上に形成した透明電極膜2と、この透明電極膜2に信号を伝達する信号線4とを強誘電体層3を介して直列接続されてなるアクティブデバイスにおいて、前記透明電極膜2と強誘電体層3との間に貴金属からなるバッファ層7を介在させ、前記透明電極膜2と強誘電体層3の熱処理に伴う当該強誘電体層3の自発分極の低下を防止して強誘電体層3の特性を維持する。【効果】 常圧操作で広い面積に一度に素子を作製することが可能で、特性のバラツキ等が少なく安定した大面積のアクティブデバイスを形成できる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成した透明電極膜と、この透明電極膜に信号を伝達する信号線とを強誘電体層を介して直列接続してなるアクティブデバイスにおいて、前記透明電極膜と強誘電体層との間に貴金属からなるバッファ層を介在させ、前記透明電極膜と強誘電体層の熱処理に伴う当該強誘電体層の自発分極の低下を防止して強誘電体層の特性を維持する構成としたことを特徴とするアクティブデバイス。
IPC (3件)：
G02F 1/136 510
, G02F 1/135
, H01L 49/02
