特許
J-GLOBAL ID：200903000093249181
樹脂封止型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219832
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083865
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 樹脂封止型半導体装置の信頼性の向上。【構成】 樹脂基板1の上面側にICチップ10を固着するダイパターン3と、前記ICチップ10の各電極を接続するための接続電極4と、前記ICチップ10を封止する樹脂封止部とを有し、下面側には接続用の半田バンプ13を形成するための複数のパッド電極5と、該パッド電極5と前記接続電極4とを電気的に接続するためのリード電極6を覆うと共に、前記パッド電極5を露呈するレジスト膜開口部8が形成されたレジスト膜7を有し、前記レジスト膜開口部8は、前記パッド電極5の外形形状よりも大きく形成し、前記パッド電極5はその一部に突出部を有し、前記レジスト膜7の下面側に延出している。前記突出部はパッド電極5を挟んで前記リード電極6とは反対側に形成されている。【効果】 半田バンプ基部の密着力向上。
請求項（抜粋）：
樹脂基板の上面側にはICチップを固着するためのダイパターンと、前記ICチップの各電極を接続するための接続電極と、前記ICチップを封止するための樹脂封止部とを有すると共に、下面側には接続用の半田バンプを形成するための複数のパッド電極と、該パッド電極と前記接続電極とを電気的に接続するためのリード電極と、該リード電極を覆うと共に、前記パッド電極を露呈するための開口部が形成されたレジスト膜とを有する樹脂封止型半導体装置において、前記レジスト膜の開口部は、前記パッド電極の外形形状よりも大きく形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2件)：
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