特許

J-GLOBAL ID：200903000098769698

半導体ウェーハの洗浄方法

発明者： 中野 正己 ,  内山 勇雄 ,  高松 広行
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-257032
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124889
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 ウェーハの表面粗さ(マイクロラフネス)を悪化させることなく、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。【構成】 研磨後の半導体ウェーハをフッ酸水溶液で洗浄し、ついてオゾンを含有した純水で水洗を行った後、ブラシ洗浄を行う。

請求項（抜粋）：

研磨後の半導体ウェーハをフッ酸水溶液で洗浄し、ついでオゾンを含有した純水で水洗を行なった後、ブラシ洗浄を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/08 ,  C11D 7/02 ,  C11D 7/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-228328
  
• 特開平1-140727