特許
J-GLOBAL ID：200903000103145231
積層型バリスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209975
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036503
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 半田付け時のフラックスや還元性雰囲気等による漏れ電流を抑制しながら、さらに外部電極の接合強度を向上できる積層型バリスタを提供する。【構成】 半導体セラミックス層2と内部電極3とを、該内部電極3の一端面3aのみが上記セラミックス層2の端縁に露出するよう交互に積層して一体焼結し、該焼結体4の両端面4a,4bに上記各内部電極3の一端面3aが接続される外部電極5を形成して積層型バリスタ1を構成する。そして上記焼結体4の外表面にガラス粉末を浸透拡散させてガラス膜6を形成し、さらに上記外部電極5に上記ガラス粉末を含有させる。
請求項（抜粋）：
半導体セラミックス層と内部電極とを、該内部電極の一端面のみが上記セラミックス層の端縁に露出するよう交互に積層して一体焼結し、該焼結体の両端面に上記各内部電極の一端面が接続される外部電極を形成してなる積層型バリスタにおいて、上記焼結体の外表面にガラス粉末を浸透拡散させてガラス膜を形成するとともに、上記外部電極に上記ガラス粉末と同種のガラス粉末を含有させたことを特徴とする積層型バリスタ。
引用特許：
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