特許

J-GLOBAL ID：200903000111052110

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 西川 博康 ,  森 和孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立コンピュータエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147965
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007908
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の製造期間を短縮する。【構成】 第1の半導体基板2上に半導体素子の拡散工程を形成した後、酸化シリコン膜13およびBPSG膜14に開孔されたコンタクトホール15内に金属膜16を埋め込み、次いで、第1の半導体基板2の表面を平坦化することにより形成される第1の半導体ウエハ1と、第2の半導体基板上に酸化シリコン膜19を形成した後、半導体素子の配線工程を形成し、次いで、酸化シリコン膜19の一部が残るように第2の半導体基板を裏面から除去することにより形成される第2の半導体ウエハ17を貼り合わせることによって、拡散工程および配線工程から成る半導体素子を有する半導体集積回路装置を製造する。

請求項（抜粋）：

半導体素子の拡散工程が形成された第1の半導体ウエハと前記半導体素子の配線工程が形成された第2の半導体ウエハを貼り合わせることにより、前記拡散工程および前記配線工程から成る半導体素子を有する半導体集積回路装置を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/02 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/68 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/12

FI (6件)：

H01L 21/02 B ,  G03F 1/08 N ,  H01L 21/68 F ,  H01L 27/00 301 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/08 321 F