特許
J-GLOBAL ID:200903000111376498

端子電極、半導体装置、半導体モジュール、電子機器、端子電極の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-083065
公開番号(公開出願番号):特開2004-296497
出願日: 2003年03月25日
公開日(公表日): 2004年10月21日
要約:
【課題】突起電極の変形を抑制しつつ、接合時のダメージを効率よく吸収する。【解決手段】パッド電極2に接続された導電層6を感光性樹脂層4の開口部5内に形成し、感光性樹脂層4が導電層6の周囲に残るようにして、感光性樹脂層4を除去することにより、導電層6の周囲が感光性樹脂層4で覆われたバンプ電極を形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
パッド電極上に形成された突起電極と、 前記突起電極を個別に取り囲むように設けられた樹脂層とを備えることを特徴とする端子電極。
IPC (1件):
H01L21/60
FI (3件):
H01L21/92 603C ,  H01L21/92 602G ,  H01L21/92 604S
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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