特許
J-GLOBAL ID：200903000111564715
3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-080185
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261158
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】レーザダイオードにおける共振器端面の平面度を向上させしいき値電流を低下させること。【解決手段】基板上に3族窒化物半導体から成る活性層を含む複数の層を形成した3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、レーザの共振器端面を集束イオンビームエッチングにより形成する。この場合に、3段階でエッチグすることで、面の平坦性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に3族窒化物半導体から成る活性層を含む複数の層を形成した3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、レーザの共振器端面を集束イオンビームエッチングにより形成することを特徴とする3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
引用特許：
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