特許

J-GLOBAL ID：200903000112989540

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 浅井 優幸 ,  堀井 貞義 ,  北山 加奈子
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087666
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296820
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】薄膜と基板との界面に低誘電率界面層が形成されるのを防止しつつ、不純物含有量の少ない薄膜を基板上に効率良く形成する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、成膜工程と改質工程とを備える。成膜工程では、成膜原料供給ユニット9からの原料ガスをシャワーヘッド6より反応室1内に供給して、回転する基板4上にハフニウムを含む薄膜を形成する。改質工程では、反応物活性化ユニット11で生成した酸素を含まない反応物であるアルゴンラジカルを、成膜ガスを供給するのと同一のシャワーヘッド6から供給して、成膜工程において形成した膜中の不純物元素を除去する。制御装置25によって、同一反応室1内で前記成膜工程と改質工程とを連続して複数回繰り返して半導体装置を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

原料ガスを用いて基板上に薄膜を形成する成膜工程と、酸素原子を含まない反応物を用いて成膜工程において形成した薄膜の改質を行う改質工程と、を連続して複数回繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L21/31

FI (3件)：

H01L21/316 P ,  H01L21/316 X ,  H01L21/31 B

Fターム (18件)：

5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC16 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045EE14 ,  5F045EH18 ,  5F045HA11 ,  5F045HA22 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH16