特許
J-GLOBAL ID：200903000119230247
プラズマ処理装置及びその取扱方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256272
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112302
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 試料基板の温度を精度良く均一な温度に制御できて,しかもエネルギ効率及び再現性の良い処理を行い得るプラズマ処理装置。【構成】 導電体1とこれを内包する誘電体2とにより形成され,導電体1に電圧を印加した時に誘電体2に発生する静電気を利用して,誘電体2に載置された試料基板3を温度制御された載置台4に着脱自在に保持する静電チャック5を備え,静電チャック5により保持された試料基板3を真空容器6内でプラズマ処理を行うプラズマ処理装置Aの,静電チャック5の導電体1を回避して静電チャック5の厚さ方向の貫通孔7を適宜数形成し,この貫通孔7に熱伝導用ガスを分配する溝8を載置台4の静電チャック5との接合面に形成している。上記構成により,試料基板の温度を精度良く均一な温度に制御できてしかもエネルギ効率及び再現性のよい処理を行うことができる。
請求項（抜粋）：
導電体と該導電体を内包する誘電体とにより形成され,上記導電体に電圧を印加した時に上記誘電体に発生する静電気を利用して,上記誘電体上に載置された試料基板を温度制御された載置台上に着脱自在に保持する静電チャックを備え,上記静電チャックにより保持された上記試料基板を真空容器内でプラズマ処理するプラズマ処理装置において,上記静電チャックに上記導電体を回避して該静電チャックの厚さ方向の貫通孔を適宜数形成し,上記貫通孔に熱伝導用ガスを分配する溝を上記載置台の上記静電チャックとの接合面に形成してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, B01J 19/08
, C23F 4/00
, H01L 21/302
