特許
J-GLOBAL ID：200903000123112089
光電変換装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-185315
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036406
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】透明上部電極層より入射した光を下部電極層面で散乱させることにより光電変換装置の効率を向上させるために下部電極層を高反射率上部層と表面凹凸の下部層に分ける際に、膜厚を薄くして応力による電極層の剥離を防ぐ。【構成】下部電極層の下部層をAlなど低融点金属により形成することにより、低い基板温度で成膜でき、膜厚が薄くても表面に凹凸形状が得られるため、電極層の剥離がなくなり、製造歩留まりが向上する。
請求項（抜粋）：
絶縁性の基板上に下部電極層、光電変換層および透明上部電極層が順次積層された光電変換装置において、下部電極層がその平均厚さが250nm以下であり、高反射率金属よりなる上部層と、上面に凹凸形状を有し、融点700°C以下の金属よりなる下部層とを有することを特徴とする光電変換装置。
FI (2件)：
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 F
