薄膜コンデンサの形成方法、薄膜コンデンサの製造方法、薄膜バイパスコンデンサの製造方法および薄膜コンデンサ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084755
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318672
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】高密度プリント基板の空間を有効使用する薄膜コンデンサの提供。【構成】非導電性ベース基板の厚さを貫通する複数のスルーホールを形成し、グラウンド通路と電源通路を形成するため、そのスルーホールを1つの導電性物質で充填して薄膜バイパスコンデンサを製造する。一連の裏側メタライゼーション層がベース基板の裏側の表面へ、一連の底面接触層がベース基板の表側の表面へ付加される。各電源端子とメタライゼーション層が底面接触層の表面に付加され、メタライゼーション層の1部が取り除かれた絶縁層が底面接触メタライゼーション層の表面上に形成される。グラウンドと電源の各メタライゼーションフィードスルーが絶縁層の表面で形成され、一連の最上面接触層が絶縁層の表面に付加され表側にグラウンドと電源の各端子が形成され、グラウンドと電源の各端子がベース基板の裏側で形成される。

請求項（抜粋）：

非導電性の基板を経由する複数の導電性の通路を形成するステップと、前記通路の1つと接触する前記基板の裏側の上に1つの裏側電源端子を形成するステップと、前記通路の1つと接触する前記基板の裏側の上に1つの裏側グラウンド端子を形成するステップと、少なくとも2つの前記通路と電気的に接触する前記基板の表側の上に底面接触層を堆積するステップと、前記通路の1つを経由して前記裏側電源端子と電気的に接触する1つの表側電源端子を形成するために、前記通路の1つに隣接する前記底面接触層の一部を電気的に絶縁するステップと、前記通路の1つを経由して前記裏側グラウンド端子と電気的に接触する1つの表側グラウンド端子を形成するために、前記通路の1つに隣接する誘電体層を通る1つの開口部を残す前記表側電源端子に隣接しない前記底面接触層の一部の上に1つの前記誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層の少なくとも1部分の上にコンデンサを形成するために、前記開口部を横断する1つの最上面接触層を堆積するステップと、を備えることを特徴とする薄膜コンデンサの形成方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-211191
半導体チップキャリアおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-342718 出願人：株式会社日立製作所
特表昭63-503261

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