特許

J-GLOBAL ID：200903000127348729

金属膜の成膜方法ならびに半導体装置およびその製造方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020830
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219919
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 少なくともAlとNとを含む化合物層上に金属膜を良好な密着性で形成し、剥離を防止することができる金属膜の成膜方法ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくともAlとNとを含む化合物層、例えばAlN層4を成長させた後、連続的にその最表面に例えば数原子層程度の厚さのAl膜5を成膜し、その上にリフトオフ法などにより電極7を形成する。あるいは、AlN層4を成長させた後、酸素を含むプラズマによるプラズマ処理またはプラズマにより生じたラジカルによる処理によりその最表面からNを引き抜いてAl2 O3 を主成分とする改質層を形成し、その上に電極7を形成する。また、AlN層4を成長させた後、その表面を清浄に保ったまま、その表面にAl膜を直接成膜して電極7を形成してもよい。

請求項（抜粋）：

少なくともAlとNとを含む化合物層上に金属膜を成膜するようにした金属膜の成膜方法において、上記化合物層の表面にAlまたはAl合金膜を成膜した後、このAlまたはAl合金膜上にAlまたはAl合金膜以外の金属膜を成膜するようにしたことを特徴とする金属膜の成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/43 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (6件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 L ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/46 H