半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-277387
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045006
出願日： 2003年07月22日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】半導体装置の微細化に伴い配線間で発生するスクラッチに起因するショートを低減させる必要がある。またビア部のSM耐性を向上させる必要がある。【解決手段】半導体基板上の第1の絶縁膜に埋め込み配線を形成する。そして、この配線間の第1の絶縁膜をエッチングして後退させ配線と第1の絶縁膜の間に段差を設ける。そして、この段差を反映させるように第2の絶縁膜を形成する。そして、第3の絶縁膜を形成し平坦化を行う。そして、配線に接続するためのビアプラグを形成する。このとき、ビアプラグと配線の接続部において第2の絶縁膜で覆うことによりビアの応力集中を緩和させることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜に配線溝を形成する工程(a)と、前記配線溝上にバリア膜を形成する工程(b)と、前記工程(b)の後に前記半導体基板上に前記配線溝を埋め込むための金属膜を形成する工程(c)と、前記金属膜を研磨して配線を形成する工程(d)と、前記配線と同一表面にある前記絶縁膜を薬液により後退させて前記配線を突出させる工程(e)と、前記工程(e)の後に後退させた前記絶縁膜表面の残渣を除去する工程(f)とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/3205 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/88 A , H01L21/90 B , H01L21/306 M , H01L21/302 102

Fターム (57件)：

5F004AA09 , 5F004BA11 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004EA10 , 5F004FA08 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM17 , 5F033NN32 , 5F033PP06 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ14 , 5F033QQ15 , 5F033QQ20 , 5F033QQ27 , 5F033QQ30 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033QQ93 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033XX06 , 5F033XX19 , 5F033XX21 , 5F033XX31 , 5F043AA31 , 5F043BB22 , 5F043DD16 , 5F043GG02

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-057947 出願人：日本電気株式会社

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