特許
J-GLOBAL ID：200903000134572944
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240204
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218060
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】高速化に適したSST構造のNPN型のバイポーラトランジスタの製造方法。【構成】N型エピタキシャル層3表面にシリコン酸化膜8を形成しておき、P+ 型多結晶シリコン膜とシリコン窒化膜10bを形成する。P+ 型多結晶シリコン膜とシリコン窒化膜をRIEにより、さらにシリコン酸化膜8をバッファード弗酸により除去し、エミッタ開口部12とP+ 型多結晶シリコン膜からなるベース引き出し電極9aとを形成する。BSG膜13baを熱処理し、P+ 型外部ベース領域11bbとP型真性ベース領域14baを形成する。BSG膜13bbからなるスペーサを形成し、N+ 型多結晶シリコン膜からなるエミッタ引き出し電極16を形成する。熱処理を行ない、P型リンクベース領域15bとN+ 型エミッタ領域17bを形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面に、少なくともNPN型バイポーラトランジスタのコレクタ領域となるN型領域と、少なくともNPN型バイポーラトランジスタのベース領域が形成される領域を区画する素子分離領域とを形成する工程と、NPN型バイポーラトランジスタのP型リンクベース領域並びにP型真性ベース領域が形成される領域の前記N型領域の表面に、選択的に第1のBSG膜を形成する工程と、前記第1のBSG膜より高濃度のボロンを含有した少なくとも前記ベース領域が形成される領域を覆うP+ 型多結晶シリコン膜を形成し、少なくとも前記P+型多結晶シリコン膜の上面を覆うシリコン窒化膜をCVD法により形成する工程と、NPN型バイポーラトランジスタのN+ 型エミッタ領域が形成される領域上の前記シリコン窒化膜,前記P+ 型多結晶シリコン膜,および前記第1のBSG膜を少なくとも異方性エッチングを含む方法により順次エッチングし、エミッタ開口部と前記P+ 型多結晶シリコン膜からなるベース引き出し電極とを形成し、前記エミッタ開口部の周囲を囲む姿態を有した前記第1のBSG膜を残留形成する工程と、前記第1のBSG膜より低濃度のボロンを含有した第2のBSG膜を全面に形成する工程と、第1の熱処理により、前記ベース領域が形成される領域に、前記ベース引き出し電極に自己整合的なP+ 型外部ベース領域と前記残留形成された第1のBSG膜に自己整合的なP型リンクベース領域と前記第2のBSG膜に自己整合的なP型真性ベース領域とを形成する工程と、異方性エンチッグを含めたエッチングにより、前記エミッタ開口部の側面に前記第2のBSG膜からなるスペーサを形成する工程と、前記エミッタ開口部を埋設する姿態を有するエミッタ引き出し電極をN+ 型多結晶シリコン膜により形成する工程と、第2の熱処理により、前記エミッタ引き出し電極に自己整合的なN+ 型エミッタ領域を前記P型真性ベース領域に形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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