特許

J-GLOBAL ID：200903000138380004

磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置

発明者： 棚橋 究 ,  細江 譲 ,  五十嵐 万壽和 ,  稲葉 信幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038018
公開番号（公開出願番号）：特開平9-231543
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 熱揺らぎの影響を抑え、かつ磁性粒子間の相互作用及び保磁力の温度係数を低減した高密度記録に好適な薄膜磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 磁性層13はCo、Cu、第1の希土類元素R及び第2の希土類元素Mを主成分とする。第1の希土類元素RはSm,Pr,Yから選ばれる少なくとも一種の元素、第2の希土類元素MはGd,Ho,Dy,Erから選ばれる少なくとも一種の元素である。磁性層中のCuの濃度は5〜20at%、第1の希土類元素Rの濃度は11〜22at%、第2の希土類元素Mの濃度は第1の希土類元素Rの濃度より低い。

請求項（抜粋）：

基板上に直接もしくは下地層を介して形成された磁性層を有する磁気記録媒体において、前記磁性層はCoとCuと希土類元素Rを主成分とし、前記希土類元素RはSm,Pr,Yから選ばれる少なくとも一種の元素よりなり、前記磁性層中のCuの濃度は5〜20at%、前記希土類元素Rの濃度は11〜22at%であることを特徴とする磁気記録媒体。

IPC (4件)：

G11B 5/66 ,  G11B 5/02 ,  G11B 5/84 ,  H01F 10/16

FI (4件)：

G11B 5/66 ,  G11B 5/02 U ,  G11B 5/84 Z ,  H01F 10/16