特許
J-GLOBAL ID：200903000138474955
シリコン基体の接合方法及び該接合方法による電気光学素子並びに光ピックアップ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053009
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246574
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、高価格な材料や装置を用いることなく、大面積のシリコン基体を低コストで接合可能なシリコン基体の接合方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るシリコン基体の接合方法は、シリコンウエハ1、1aの表面にシリコンウエハ1、1a側から少なくともCr層2、2a、Cu層3、3aを形成した後に、PbSn層4、4aを形成したものを重ね合わせ、加熱加圧することにより接合することを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
シリコン基体の表面にシリコン基体側から少なくともCr層、Cu層を形成した後に、PbSn層を形成したものを重ね合わせ、加熱加圧することにより接合することを特徴とするシリコン基体の接合方法。
IPC (4件)：
H01L 31/02
, H01L 21/02
, H01L 27/14
, H01L 31/10
H01L 31/02 B
, H01L 21/02 B
, H01L 27/14 K
, H01L 31/10 A
