半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062812
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283744
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】格子定数が小さく格子整合する基板が無いとされる化合物半導体において、結晶学的な欠陥が少なく高品質な薄膜を成長させることを目的とする。【構成】基板と目的とする半導体層の間に燐化ホウ素(BP)あるいはZnOからなるバッファ層を成長させ半導体層に発生する欠陥を低減する。【効果】 2μm程度のBPあるいはZnOバッファ層をはさみGaAlN系エピタキシャル層を成長させることにより、従来はアンドープでも高キャリア濃度であったものが2〜3桁キャリア濃度が低下して電気的特性の制御が容易になった。

請求項（抜粋）：

単結晶BP層と、このBP層の表面に形成された少なくとも500A以上の厚さのGax A11-x N(0≦x≦1)のエピタキシャル成長層とを具備することを特徴とする半導体素子。

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開平4-199752
特開平2-288388
特開平2-229475

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