特許

J-GLOBAL ID：200903000139491721

バイポーラトランジスタの製造方法

発明者： 藤川 一成 ,  皆川 俊一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-036963
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243408
出願日： 2002年02月14日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】AsH3(アルシン)以外のV族原料を用いることで、HBTのベース層中の水素濃度を低減し、電流利得βの変動率を極力小さくすること。【解決手段】HBTのベース層をエピタキシャル成長させる際に、V族原料として有機金属であるAs(CH3)3(トリメチル砒素)又はTBA(ターシャリーブチルアルシン)を用いる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性化合物半導体基板上に、III-V族化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させて、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層、エミッタコンタクト層、ノンアロイ層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法において、上記ベース層をエピタキシャル成長させる際に、V族原料として有機金属であるAs(CH3)3(トリメチル砒素)を用いることを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/737

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/72 H

Fターム (18件)：

5F003AZ07 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045DA52