特許
J-GLOBAL ID：200903000139749842
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-161299
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175123
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 作製過程での厳密な平坦性管理の負担を軽減し、また電子濃度を直接的に決定可能にする。【構成】 GaAs基板1上にアンド-プGaAs層2a、2b、2c、2dと所定濃度のSiアトミックプレ-ナド-プ層3a、3b、3cとを所定層厚毎に繰り返し形成した後、フォ-カスドイオンビーム法、又は、反応性イオンビームエッチング法によって線状または島状に細分化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、アンドープ半導体層とドープ薄層とを交互に複数層積層形成する工程と、前記アンドープ半導体層及びドープ薄層を電気的に遮断した状態の線状に成形する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
