特許

J-GLOBAL ID：200903000143776137

DRAMセルコンタクトの構造及びその形成方法

発明者： ▲高▼瀬 俊二
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-260432
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125141
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルパターンを設計する際に、セルコンタクトのパターンを、ワード線及びビット線のパターンとの合わせを無視して容易にレイアウトすることができるDRAMセルコンタクトの構造及びその形成方法を提供する。【構成】 セルコンタクト49のワード線29及びビット線35,36にかかるようなパターンにおいても、ワード線29の側部はサイドウォール45によって、また、ワード線29の上部はSiO2 膜28によって、キャパシタ下部電極46と電気的な絶縁が保たれており、また、ビット線35,36の側部はサイドウォール40によって、また、ビット線35,36の上部はSiO2 膜37によって、キャパシタ下部電極46と電気的な絶縁が保たれている。

請求項（抜粋）：

DRAMセルコンタクトのパターンがワード線、ビット線にかかるようなパターンレイアウトにおいて、(a)ワード線の側部は酸化膜サイドウォールによって、ワード線の上部は酸化膜によってそれぞれキャパシタ下部電極と電気的に絶縁が保たれ、(b)ビット線の側部は酸化膜サイドウォールによって、ビット線の上部は酸化膜によってそれぞれキャパシタ下部電極と電気的に絶縁が保たれていることを特徴とするDRAMセルコンタクトの構造。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-106027
  
• 特開平3-064068
  
• 特開平4-097565
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-066431   出願人：株式会社東芝