半導体装置の測定装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168773
公開番号（公開出願番号）：特開平6-011452
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】垂直入射光では検知できなかったパーティクルの測定を可能にする半導体装置の測定装置を提供する。【構成】シリコン基板1を水平に置き、そのシリコン基板1にレーザー光3が全反射するような角度で入射するようにレーザー光源4を設置し、その反射光を受光部5で受けるようにする。

請求項（抜粋）：

水平に置かれた半導体基板と、レーザーを発振する光源と、受光部とからなり、前記光源から発振されるレーザー光が前記半導体基板上で全反射するような角度に入射するように設置され、その反射光を前記受光部で受けることを特徴とする半導体装置の測定装置。

IPC (4件)：

G01N 21/88 , G06M 11/00 , H01S 3/00 , H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

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