特許

J-GLOBAL ID：200903000146391520

パターン形成方法

発明者： 東 和幸 ,  佐藤 康彦 ,  松永 範昭 ,  梶田 明広 ,  松山 日出人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-192934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031118
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 レジスト膜厚を薄くしても反射防止膜を所望の寸法で加工することが可能なパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 被加工膜上にシリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン膜を形成する工程と、前記有機シリコン膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記有機シリコン膜の前記レジストパターンに被覆されていない部分を選択的に酸化する工程と、前記有機シリコン膜の前記酸化された部分をエッチングマスクとして用いて、前記有機シリコン膜の前記レジストパターンに被覆された部分をエッチングする工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被加工膜上にシリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン膜を形成する工程と、前記有機シリコン膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記有機シリコン膜の前記レジストパターンに被覆されていない部分を選択的に酸化する工程と、前記有機シリコン膜の前記酸化された部分をエッチングマスクとして用いて、前記有機シリコン膜の前記レジストパターンに被覆された部分をエッチングする工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/88 D

Fターム (49件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BD20 ,  2H025BD48 ,  2H025BF30 ,  2H025BH04 ,  2H025DA34 ,  2H025EA06 ,  2H025FA17 ,  2H025FA28 ,  2H025FA41 ,  5F004AA04 ,  5F004AA05 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB16 ,  5F004DB30 ,  5F004EA04 ,  5F004EA15 ,  5F004EA22 ,  5F033AA13 ,  5F033AA32 ,  5F033AA75 ,  5F033BA02 ,  5F033BA03 ,  5F033BA13 ,  5F033BA15 ,  5F033EA29 ,  5F046CA04 ,  5F046PA07 ,  5F046PA09