特許

J-GLOBAL ID：200903000146625849

発光素子アレイおよびその製造方法

発明者： 坂井 久 ,  小川 元一 ,  西村 剛太 ,  青野 重雄 ,  田辺 英義
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-021855
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210869
出願日： 2000年01月26日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 シリコンから成る駆動素子を劣化し、発光素子の発光強度が弱く、寿命も短く、材料コストの低減、ワイヤボンディング工程などの実装コストの低減、印刷速度の高速化、あるいは光プリンタヘッドの小型化、印刷範囲の長尺化を図ることができないという問題があった。【解決手段】 シリコン基板の表面部に化合物半導体から成る発光素子を設けると共に、このシリコン基板上の表面部に前記発光素子を駆動する駆動素子を設けた発光素子アレイにおいて、前記シリコン基板表面の前記発光素子が形成される領域部に2×1017〜1×1019atom/cm3の酸素元素を存在させたり、シリコン基板の表面部に化合物半導体から成る発光素子を形成すると共に、このシリコン基板の表面部に前記発光素子を駆動する駆動素子を形成する発光素子アレイの製造方法において、前記駆動素子を形成した後に、前記シリコン基板の表面部を850°C未満の温度で前処理し、しかる後前記化合物半導体を850°C未満の温度で形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面部に化合物半導体から成る発光素子を設けると共に、このシリコン基板上の表面部に前記発光素子を駆動する駆動素子を設けた発光素子アレイにおいて、前記シリコン基板表面の前記発光素子が形成される領域部に2×1017〜1×1019atom/cm3の酸素元素を存在させたことを特徴とする発光素子アレイ。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/62

FI (3件)：

H01L 33/00 J ,  H01L 33/00 L ,  C09K 11/62

Fターム (15件)：

4H001CA02 ,  4H001CA05 ,  4H001XA13 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA49 ,  5F041AA04 ,  5F041AA31 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA54 ,  5F041CA65 ,  5F041CB22 ,  5F041CB33