特許
J-GLOBAL ID:200903000146912031
誘電体磁器組成物
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-230939
公開番号(公開出願番号):特開平6-080467
出願日: 1992年08月31日
公開日(公表日): 1994年03月22日
要約:
【要約】【目的】 マイクロ波帯域にて使用される誘電体共振器及び電子機器において、高い誘電率(60〜110)、高い無負荷Q(≧2000)、低い共振周波数温度係数(τf)(≦100ppm/°C)等の優れた特性を有す誘電体磁気組成物を提供することを目的とする。【構成】 誘電体磁器組成物でその組成式が、xBaO・yTiO<SB>2</SB>・zNd<SB>2</SB>O<SB>3</SB>・tSm<SB>2</SB>O<SB>3</SB>・wBi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>で表され、それぞれのモル分率が0.06≦x≦0 .155、0.69≦y≦0.80、0.05≦z≦0.18、0<t≦0.07、0<w≦0.05(但し、x+y+z+t+w=1)の範囲にあり、又、添加物としてAl<SB>2</SB>O<SB>3</SB>やZrO<SB>2</SB>等の一種以上加えるか、該誘電体磁器組成物のBaの一部を他で置換してもよい。又、Sm<SB>2</SB>O<SB>3</SB>,Nd<SB>2</SB>O<SB>3</SB>の純度は70wt%以上であればよい。
請求項(抜粋):
組成式が、xBaO・yTiO<SB>2</SB>・zNd<SB>2</SB>O<SB>3</SB>・tSm<SB>2</SB>O<SB>3</SB>・wBi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>からなる誘電体磁器組成物であって、その組成範囲をモル分率で表したときそれぞれ、0.06≦x≦0.1550.69≦y≦0.800.05≦z≦0.180<t≦0.070<w≦0.05(但し、x+y+z+t+w=1)の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。
IPC (3件):
C04B 35/46
, H01B 3/12 311
, H01P 7/10
引用特許:
審査官引用 (4件)
-
特開平4-240158
-
特開平4-104946
-
特開平3-295856
前のページに戻る