特許
J-GLOBAL ID：200903000147062210
微細パターン形成時の露光方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-328836
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213627
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 本発明は適切な楕円偏光を用いてコントラストギャップを低減させ、コントラストを向上させたため、微細パターン形成が容易であり素子の高集積化に適し工程余裕度が増加されて工程収率及び動作の信頼性を向上させることができる微細パターン形成時の露光方法及びその装置に関する。【解決手段】 本発明は、従来の線形偏光から発生するコントラストギャップ即ち、パターンの長手方向と偏光方向の不一致に対するコントラストの差を防止するためベクトルイメージ理論を利用して類推した式等を用いて偏光分布函数を求め、これを利用して露光マスクに入射するx,y成分を有する偏光を子午平面と垂直の成分S-偏光成分(Scom )と平行な成分P-偏光成分(Pcom )を求めて適正なコントラストギャップとコントラストを有する楕円偏光程度を決定する。
請求項（抜粋）：
光源を介してウェハに像を照射しパターンを形成する方法において、偏光した光を光源に用い、前記偏光した光の楕円率と偏光角を計算して工程余裕度が許す範囲内のコントラストギャップを有するようにすることを特徴とする微細パターン形成時の露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 527
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 515 D
