特許

J-GLOBAL ID：200903000152109232

半導体基板、その製造方法、半導体装置及びパターン形成方法

発明者： 石田 昌宏 ,  小川 雅弘 ,  萬濃 正也 ,  油利 正昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230843
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141283
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体基板を用いた半導体装置の製造においてフォトリソグラフィ工程でのパターン精度を向上させる。【解決手段】 GaN層100よりなる基板の裏面に、フォトリソグラフィ工程で用いられる露光光の波長の1/10程度以上の段差を有する凹凸100aが設けられている。これにより、基板表面から入射した露光光が基板裏面で乱反射されるので、基板裏面における露光光の反射率が低下して反射光の強度が減少する。

請求項（抜粋）：

III 族窒化物を主成分とする半導体層よりなり、前記半導体層の一の面から前記半導体層に入射した入射光を散乱させる散乱部が前記半導体層の他の面又は内部に設けられていることを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (10件)：

5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F052CA10 ,  5F052KA10 ,  5F073AA13 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-013867   出願人：日亜化学工業株式会社