特許

J-GLOBAL ID：200903000153038886

ガス検出素子の製造法

発明者： 金森 正晃
出願人/特許権者： エヌオーケー株式会社
代理人 (1件)： 吉田 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273966
公開番号（公開出願番号）：特開平10-104185
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 センサ使用雰囲気中での抵抗の経時的な変化を少なくし、それによってセンサとしての安定性を向上せしめたガス検出素子を提供する。【解決手段】 体積比0.05〜1.0の有機錫化合物/酸素混合ガスを用い、80〜250Wの高周波電力を印加するプラズマCVD法により、絶縁性基板上に透明で非晶質のプラズマCVD薄膜を基板温度約150〜250°Cで形成させた後、このプラズマCVD薄膜を約650〜850°Cの温度の大気中で加熱処理し、錫および酸素からなる結晶性酸化錫薄膜であるガス検出素子を製造する。

請求項（抜粋）：

体積比0.05〜1.0の有機錫化合物/酸素混合ガスを用い、80〜250Wの高周波電力を印加するプラズマCVD法により、絶縁性基板上に透明で非晶質のプラズマCVD薄膜を基板温度約150〜250°Cで形成させた後、該プラズマCVD薄膜を約650〜850°Cの温度の大気中で加熱処理することを特徴とするガス検出素子の製造法。

IPC (2件)：

G01N 27/12 ,  G01N 27/04

FI (2件)：

G01N 27/12 M ,  G01N 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ガス検出素子の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305912   出願人：エヌオーケー株式会社
• ガス検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-170899   出願人：エヌオーケー株式会社
• 特開平1-250748
  
• 特開平2-088957