特許
J-GLOBAL ID:200903000154357632

高周波デバイスの高周波特性を測定する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 仁義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-106874
公開番号(公開出願番号):特開平10-300778
出願日: 1997年04月24日
公開日(公表日): 1998年11月13日
要約:
【要約】【課題】接点部分の高周波信号の反射を低減させて、測定誤差が生じないようにした高周波デバイスの高周波特性を測定する方法を提供する。【解決手段】電極と端子とを接続して、高周波デバイスの高周波特性を測定する方法において、前記電極の先端部分のみのインピ-ダンスを、伝送線路の特性インピ-ダンスに比べて低く設定することによって、前記電極と端子との接点部分の高周波信号の反射を低減させた。
請求項(抜粋):
電極と端子とを接続して、高周波デバイスの高周波特性を測定する方法において、前記電極の先端部分のみのインピ-ダンスを、伝送線路の特性インピ-ダンスに比べて低く設定することによって、前記電極と端子との接点部分の高周波信号の反射を低減させることを特徴とする高周波特性を測定する方法。
IPC (3件):
G01R 1/06 ,  G01R 31/26 ,  H01P 1/00
FI (3件):
G01R 1/06 E ,  G01R 31/26 J ,  H01P 1/00 D

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