特許
J-GLOBAL ID:200903000162564779

多層配線基板およびその製造方法、並びにその製造に用いる製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-296703
公開番号(公開出願番号):特開2003-101234
出願日: 2001年09月27日
公開日(公表日): 2003年04月04日
要約:
【要約】【課題】電気化学法によるめっき法によりビアホールを形成する際に、連続生産中において安定製造できる多層配線基板およびその製造方法、並びに製造装置を提供する。【解決手段】樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる配線層を積層し、上下の配線層を電気化学的なめっき法によって接続する多層配線基板の製造方法において、微小スルーホールのめっき被覆状態を検出することによりめっき工程の完了を判定する。なお、めっき被覆状態の検出は光学的に行われ、所定の径の微小スルーホールの充填、あるいは、微小スルーホールの径が所定の縮小率へ到達した場合に、めっき工程が完了したものと判定することも含まれる。
請求項(抜粋):
樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる配線層を積層し、上下の配線層を電気化学的なめっき法によって接続する多層配線基板の製造方法において、微小スルーホールのめっき被覆状態を検出することによりめっき工程の完了を判定することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (7件):
H05K 3/46 ,  C25D 7/00 ,  C25D 21/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/42 610 ,  H05K 1/02
FI (8件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 W ,  C25D 7/00 J ,  C25D 21/12 C ,  H01L 21/60 311 W ,  H05K 3/00 S ,  H05K 3/42 610 B ,  H05K 1/02 C
Fターム (49件):
4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BA12 ,  4K024BB11 ,  4K024BC02 ,  4K024CB24 ,  4K024GA01 ,  5E317AA24 ,  5E317CC33 ,  5E317CC36 ,  5E317CC38 ,  5E317CC39 ,  5E317CC42 ,  5E317CD27 ,  5E317CD29 ,  5E317GG01 ,  5E317GG16 ,  5E338BB12 ,  5E338BB16 ,  5E338CC09 ,  5E338CC10 ,  5E338DD12 ,  5E338DD22 ,  5E338EE31 ,  5E338EE33 ,  5E338EE41 ,  5E338EE44 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346BB15 ,  5E346BB16 ,  5E346CC32 ,  5E346DD24 ,  5E346FF04 ,  5E346FF07 ,  5E346FF14 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG31 ,  5E346GG33 ,  5E346HH31 ,  5F044KK02 ,  5F044KK10 ,  5F044MM04 ,  5F044MM14 ,  5F044MM48

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