特許
J-GLOBAL ID：200903000167695103
選択酸化素子分離領域を有する半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168631
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335302
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 同一半導体基板上に高電圧領域と低電圧領域とが形成される半導体装置に好適な新規な構造の多段膜厚の選択酸化素子分離領域を有する半導体装置を提供することを第1の目的とし、このような新規構造の半導体装置を単純な製造プロセスで容易に製造することが可能な製造方法を提供することを第2の目的とする。【構成】 膜厚が相互に相違する複数種類の選択酸化素子分離領域20,22,20a,22a,20b,22b を同一の半導体基板2上に有する。半導体装置の製造方法では、素子領域が形成される半導体基板2の表面に、所定のパターンで通常の第1窒化シリコン膜6を成膜し、相対的に薄い選択酸化素子分離領域を形成すべき半導体基板の表面に、LOCOS用窒化シリコン膜よりも十分に薄い第2窒化シリコン膜10を所定のパターンで成膜し、半導体基板の表面を熱酸化することにより、膜厚が相互に相違する複数種類の選択酸化素子分離領域20,22を同一の半導体基板2上に形成する。または、酸化阻止機能を有する窒素などの不純物を所定のパターンでイオン注入し、半導体基板の表面を熱酸化する。
請求項（抜粋）：
膜厚が相互に相違する複数種類の選択酸化素子分離領域を同一の半導体基板上に有する半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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