特許
J-GLOBAL ID:200903000168183726
読込み信号の対称性を有する逆平行ピンスピン・バルブ読込みセンサ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-109805
公開番号(公開出願番号):特開平11-007614
出願日: 1998年04月20日
公開日(公表日): 1999年01月12日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 移動磁気媒体から正負等大の磁気インカーションを感知する時、増幅特性曲線上のゼロ・バイアス点に関して対称な正負の読込み信号を有する薄膜磁気抵抗(MR)スピン・バルブ読込みセンサを提供する。【解決手段】 MRスピン・バルブ読込みセンサ53bの強磁性自由層110は、正と負の磁気インカーションを感知する時のゼロ・バイアス点に相当する位置から、第一の方向と第二の方向に自由に回転する磁気モーメント156を有する。反強磁性層122は、逆平行ピン層112に接し、ピン方向に沿って逆平行ピン層の磁気モーメント124,126をピンする。電気導電性非磁気スペーサ層114は、自由層と逆平行ピン層に挟在する。正負の磁気インカーションを感知する時、自由層の磁気モーメントは、ピン層の磁気モーメントのピン方向に対応して、第一の方向と第二の方向に回転する。これにより、磁気抵抗がそれぞれ増加あるいは減少する。
請求項(抜粋):
移動磁気媒体からの等大の正負の磁気インカーションを感知する増幅特性曲線のゼロ・バイアス点に関して正と負との読込み信号の対称性を有する薄膜磁気抵抗(MR)スピン・バルブ読込みセンサであって、前記正の磁気インカーションと前記負のインカーションとをそれぞれ感知するにおける前記ゼロ・バイアス点に対応する位置から第一の方向と第二の方向とに自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層と、逆平行ピン層と、ピン方向に沿って逆平行ピン層の磁気モーメントをピンする前記逆平行ピン層に即接する反強磁性層と、前記正のインカーションと前記負のインカーションとを検知するにおいて、前記ピン層の磁気モーメントの前記ピン方向に対応して前記第一の方向および第二の方向に前記自由層の前記磁気モーメントを回転してそれぞれ磁気抵抗を増加あるいは減少するような、前記自由層と前記反強磁性層との間に挟在した電気導伝性非磁気スペーサ層と、前記磁気抵抗の増減に対応して、前記センサが前記ゼロ・バイアス点に関して対称である正の読込み信号および負の読込み信号とを生成するために、前記センサに接続しかつ所定の方向と大きさとのセンス電流を適用するセンス電流源とを有する薄膜磁気抵抗(MR)スピン・バルブ読込みセンサ。
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