特許

J-GLOBAL ID：200903000173676897

ITO膜接続構造、TFT基板及びその製造方法

発明者： 藤川 徹也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-243449
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077666
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 AlもしくはAl合金膜とITO膜との良好な電気的接続を確保し、かつ生産性向上を図ることが可能なITO膜接続構造を提供する。【解決手段】 下地基板上に、AlもしくはAlを主成分とする合金からなる導電膜が形成されている。導電膜の上に上側導電膜が配置されている。上側導電膜に、第1の開口が設けられている。上側導電膜の上に絶縁膜が配置されている。絶縁膜に、第2の開口が設けられている。第2の開口の外周は、第1の開口の外周よりも外側に位置する。絶縁膜の上面の一部、第1及び第2の開口の内面を覆い、上側導電膜の上面のうち第2の開口の内側の領域において上側導電膜に接触するITO膜が配置されている。

請求項（抜粋）：

AlもしくはAlを主成分とする合金からなる導電膜と、前記導電膜の上に配置され、第1の開口が設けられ、Al以外の材料で形成された上側導電膜と、前記上側導電膜の上に配置され、第2の開口が設けられた絶縁膜であって、該第2の開口の外周が、前記第1の開口の外周よりも外側に位置する前記絶縁膜と、前記絶縁膜の上面の一部、前記第1及び第2の開口の内面を覆い、前記上側導電膜の上面のうち前記第2の開口の内側の領域において前記上側導電膜に接触するITO膜とを有するITO膜接続構造。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 336 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 616 U ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 336 ,  H01L 21/90 A ,  H01L 29/78 616 K

Fターム (57件)：

2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA12 ,  2H092MA17 ,  2H092NA28 ,  5C094AA21 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA46 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5C094GB01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK05 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033MM08 ,  5F033NN13 ,  5F033NN30 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ39 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX09