特許
J-GLOBAL ID：200903000173975347
強誘電体の処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156457
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347229
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】特性劣化や寿命劣化の無い強誘電体素子を提供する。【構成】強誘電体の処理方法に関し、(1) 強誘電体を不活性雰囲気中にてアニール処理する。(2) 強誘電体を酸素雰囲気中にてアニール処理した後のアニール処理を、不活性雰囲気中にてアニール処理する事とする。【効果】 長寿命で、劣化の無い強誘電体素子を提供する事ができる。
請求項（抜粋）：
強誘電体を不活性雰囲気中にてアニール処理する事を特徴とする強誘電体の処理方法。
IPC (2件)：
H01G 4/12 418
, H01L 21/324
