特許

J-GLOBAL ID：200903000175341175

シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法

発明者： 福山 恵一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012233
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214311
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 粒子の発生による装置の汚染、歩留まり低下や、低スループット等の問題のあるCVD法に代わり、シリコン膜の形成方法として、液体状の高次シランを用いる方法が提案されている。しかし、液体状高次シランからp型或いはn型のシリコン膜を作製するには、そのドーピング濃度を再現性良く制御することが難しかった。【解決手段】 予めイオン注入により周期律表第III族又は第V族原子をドーピングした固体状高次シランを加熱、熔融したものを滴下ライン3から塗布室1内のガラス基板9上に塗布する。さらに、この固体状高次シランよりも蒸気圧の低いアルコキシシランあるいはアルコキシシロキサンの混合液体を前記ガラス基板9上に塗布する。次いで、ガラス基板9を成膜室2に移して、加熱して重合させて、ドーピングされたa-Si膜を形成する。これによって、ドーピング濃度が制御されたa-Si膜を、従来より低温かつ高速で簡便に作製することができ、したがって基体材質の選択の幅が広がる。

請求項（抜粋）：

固体状高次シランに周期律表第III族又は第V族原子をドープした後、該固体状高次シランが分解するようなエネルギーを与えることにより、基体上に該周期律表第III族又は該第V族原子を含んだシリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/02 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/02 D ,  H01L 31/04 B